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型号 PHX8NQ11T,127
厂商 NXP Semiconductors
描述 MOSFET N-CH 110V 7.5A SOT186A
PHX8NQ11T,127 PDF
代理商 PHX8NQ11T,127
标准包装 50
系列 TrenchMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 110V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 7.5A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 180 毫欧 @ 6A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 14.7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 360pF @ 25V
功率 - 最大 27.7W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 隔离片
供应商设备封装 TO-220-3
包装 管件
其它名称 934058496127
PHX8NQ11T
PHX8NQ11T-ND
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